場效應結晶體管（FieldEffect Transistor縮寫（FET））職稱場效應管。由少數載流子參加導熱，也稱為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體機件。存正在輸出電阻高（10^8~10^9Ω）、噪音小、功耗低、靜態(tài)范疇大、易于集成、沒有二次擊穿景象、保險任務海域寬等長處，現已變化雙極型結晶體管和功率結晶體管的壯大合作者。

      場效應管特性

      一：場效應管是電壓掌握機件，它經過VGS（柵源電壓）來掌握ID（漏極直流電）；
      二：場效應管的輸出端直流電極小，因而它的輸出電阻很大。
      三：它是應用少數載流子導熱，因而它的量度穩(wěn)固性較好；
      四：它組成的縮小通路的電縮小小系數要小于三極管組成縮小通路的電縮小小系數；
      五：場效應管的抗輻照威力強；
      六：因為沒有具有錯雜活動的少子分散惹起的散粒噪音，因為噪音低。

      場效應管的任務原理

      場效應管任務原理用一句話說，就是"漏極-源極間走過溝道的ID,用以電極與溝道間的pn構造成的反偏偏的電極電壓掌握ID".更準確地說，ID走過電路的幅度，即溝道截面積，它是由pn結反偏偏的變遷，發(fā)生耗盡層擴大變遷掌握的來由。正在VGS=0的非飽滿海域，示意的過渡層的擴大由于沒有很大，依據漏極-源極間所加VDS的磁場，源極海域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有直流電ID活動。從門極向漏極擴大的適度層將溝道的一全體形成阻塞型，ID飽滿。將這種形態(tài)稱為夾斷。這象征著過渡層將溝道的一全體阻撓，并沒有是直流電被切斷。

      正在過渡層因為沒有電子、空穴的自正在挪動，正在現實形態(tài)下簡直存正在絕緣特點，一般直流電也難活動。然而這時漏極-源極間的磁場，實踐上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部左近，因為漂移磁場拉去的高速電子經過過渡層。因漂移磁場的強度簡直沒有變發(fā)生ID的飽滿景象。其次，VGS向負的位置變遷，讓VGS=VGS（off），這時過渡層大體變化遮蓋全海域的形態(tài)。并且VDS的磁場大全體加到過渡層上，將電子拉向漂移位置的磁場，只要接近源極的很短全體，這更使直流電沒有能呆滯。